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以基體偏壓控制消耗功率之3.7 ~ 5.2Gz 多頻帶壓控振盪器

圖7 本論文完整電路. 3. 加了基體偏壓的原理. 根據Lesson 的定理(2)，當sig. P 增加. 時，相位雜訊會減少；改變CMOS 電晶. 體的基體電壓，會有效地控制VCO 內的.

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