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半导体制程概论萧宏chapter10 - 百度文库

金屬層間介電質層: IMD – 使用USG 或FSG – 通常在溫度400 ?C沉積Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Boo k.htm 6 介電質薄膜在CMOS電路的應用氮化矽氧化 ...

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