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CN101521159A - 提高圆片均匀性的方法及层间介质 - Google

使用本发明确保了使用PSG层提高半导体集成电路可靠性，并通过使用P捕获游离的金属离子来抑制这些金属离子对金属氧化物半导体(MOS)器件阈值电压的影响的同时，使用USG层稳定 ...

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