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電子物理學系- 碩士論文 - 國立交通大學

的缺陷能階(Trap-assisted tunneling，TAT)，再穿隧到半導體與氧化層間的界 ... 定兩時間t1 與t2，固定t2/ t1，改變t1 與t2 來設定不同速率窗，電子發射速率en.

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