本論文主要探討的是透過台灣半導體實驗室(TSRI) 0.35μm 製程的設備,製作Ω 型金氧半場效電晶體(Ω-Shape MOSFETs)和Ω 型無接面式電晶體(Ω-Shape JLFETs),藉由在矽基板 ...
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