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聯華林德與宇川精密材料共同開發新半導體材料 - 電子時報

TSA 主要用於在先進邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充，它使用FCVD機台來將矽電介質沉積到淺溝槽隔離技術(STI)中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層 ...

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