SGT MOS. 具有栅漏电容(Cgd)小,开关损耗低,优值(FOM)低,抗大电流冲击能力(EAS)强等特点. 采用电荷平衡原理,使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较 ...
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