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在具有氮化鈦緩衝層之(001)矽晶片上成長鑽石之研究

論文第一部分主. 要探討脈衝雷射沉積(PLD)的製程參數對氮化鈦層生長之影響，藉由不同的. 氮氣製程和不同的雷射頻率，以得到品質較佳的TiN 薄膜層。第二部分則.

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