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多元材料製程與性質

... 此類材料中，TiN因易形成柱狀晶結構、晶界為快速擴散路徑，而TaN與MoN則因電阻值偏高會增加電阻電容延遲效應，這些缺點使得單一元素氮化物阻障層的應用受到限制。

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