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GaAs HEMT/InP HBT高頻驅動及CMOS/SiGe轉阻放大積體電路 ...

轉阻放大器晶片功率消耗約為11.6 mW，晶片面積約為0.151 mm，可應用在40 Gb/s NRZ和50 Gb/s PAM-4光接收器，頻寬約為26 GHz，轉阻增益約為34 dB&Omega。 圖一 CMOS TIA ...

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