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所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性| 基本知識

表達的方法有很多，可以將VDS=10V、ID=1mA時定義為MOSFET的導通狀態，將此時的VGS作為VGS(th)，可以說值就介於3V～5V之間。

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