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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科
這樣的結構正好等於一個電容器,氧化層為電容器中介電質,而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電係數來決定。閘極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。 當一個電壓 ...
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「th厚度」
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