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薄膜電晶體實驗室（a-Si/ poly-Si TFT Laboratory） - 李嗣涔教授

一九九六年貝爾實驗室發現在矽MOSFET 元件之介面以氫的同位素氘代替氫，元件之熱電子衰退效應大幅減低，轟動了積體電路界。本實驗室也以氘代替氫來製作非晶矽氘材料，發現 ...

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