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低溫複晶矽薄膜電晶體電容特性及模型之研究研究成果報告 ...

新的gated p-i-n device 來驗證；藉由比較交流操作後的TFT 與直流操作 ... [圖三] (a) P 型TFT 的元件剖面圖、熱載子操作條件與(b)其操作前後的電流-電壓特性.

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