... ( Si ( OCH3 ) 3 ) ~ 3.2-3.6 矽甲烷為基礎快速加熱 CVD Siu + SiF4 3.4 +02 高密度電漿( high 電子迴旋共振 SiF4 · TEOS density plasma ( ECR ) + | HDP ) +0 .
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