二、 對於PECVD 製程中,使用TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為250℃。 ... 5 分) 在高密度電漿CVD(HDP CVD)氧化物製程中,為什麼用矽烷而. 不用TEOS 作為矽 ...
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