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以溶膠凝膠法製備SiO2薄膜作TFT閘極絕緣層材料

本實驗是利用四乙矽酸(TEOS)以溶膠凝膠法(sol-gel)製備二氧化. 矽(SiO2) 作為絕緣層的介電材料，成膜 ... 此後將其薄膜應用於TFT 元件的絕緣層之中，我們的半導體層是.

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