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化學氣相沉積與介電質薄膜

製程已被使用來沉積二氧化矽和. • APCVD 製程已被使用來沉積二氧化矽和. 氮化矽. • APCVD 臭氧-四乙基矽烷（O. 3. -TEOS）. 的氧化物製程被廣泛地使用在半導體工.

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