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CN101577220A - 群集式工具的处理系统

在装料闸模块LLM1中，晶片A05一被搬入，就进行“LLM2处理”(t21～t28)。 ... 此时，原料气体在加热到400～600℃的被处理基板上分解，在基板上生长薄膜。

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