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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - IR

以PECVD 法沉積gate，且定義出source and drain 區域。 ... 5. sputter 上一金屬層，定義出pixel area。 ... Subthreshold swing 為0.9 V/decade. 其元件尺吋如圖示。

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