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這種新型電晶體有望替代傳統矽器件？ - 每日頭條

其中，次臨界擺幅（subthreshold swing）的定義為當汲極電流增加十倍時，所需要增加的柵極電壓，是衡量電晶體開、關狀態相互轉換的速率的一項重要性能 ...

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