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sti 半導體– sti製程

浅槽隔离Shallow Trench Isolation；STI技术制作主动区域之间的绝缘结构已逐渐被普遍采用。STI结构的形成通常是先在半导体基底上沉积一层氮化硅层，然后图案化此氮化硅层 ...

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