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sti製程
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在包含soi及矽塊區域的半導體元件中形成sti的方法
在一實施例中,計時蝕刻50可以是一反應性離子蝕刻製程,但是,也可以其他蝕刻製程來實施。在任一種情況下,計時蝕刻50係對埋設的絕緣層24材料(即,二氧化矽)具有專一性,且 ...
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