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sti 半導體

淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術制作主動區域之間的絕緣結構已逐漸被普遍采用。STI結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化硅層，然后圖案化此氮化硅層 ...

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