APCVD 製程已被使用來沉積二氧化矽和. 氮化矽. • APCVD 臭氧-四乙基矽烷(O. 3. -TEOS). 的氧化物製程被廣泛地使用在半導體工. 業上,特別是在STI 和PMD 的應用上.
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