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第二十一章記憶體電路

(1) 在21-3.1(二)節中，為了便於說明SRAM 單元的讀取操作，當時所舉的預充電. 路 ... 原理，則是：. (1) 寫入方式：運用熱電子累增注入效應. (2) 抹除方式：善用於Fowler ...

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