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半导体上转换单光子探测技术研究进展

的探测率, 几乎接近APD的探测极限, 但是其后. 脉冲效应接近10%. 必须指出的是 ... 这种厚耗尽层结构的SPAD并非平面结构, 因此其. 与薄耗尽层结构的SPAD制作工艺有较大差异.

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