... 透過CVD的反應機制在基板表面發生低溫的沉積鍍膜反應,生成物與副產物則由系統幫 ... 200∼400°C SiO2 SiH4+ N2O → SiO2 800°C 200∼400°C SiO2 TEOS+ O2 → SiO2 ...
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