SiO2. <0.05%. 粉末資料:. 製程. 團聚和燒結. D10顆粒大小. 21-30 μm ... 主要應用於半導體的蝕刻腔體,由於製備出來的塗層密度更高,抵抗離子蝕刻的效果更好。
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