具體方法是在晶體管層的上面積層SiO2層並嵌入電容器,然後在其上面設置布線層。 據瑞薩介紹,迄今由於存在該SiO2層,很難與邏輯LSI一樣以標準CMOS技術來制造DRAM混載LSI, ...
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