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高密度電漿蝕刻系統 - 國立中央大學光電科學研究中心

儀器功用：化合物半導體乾性蝕刻; 財產編號：3070114-003-0002; 購置日期：2002年4 ... Si 、SiO2、Si3N4 、PR 、BCB; Etching mask：PR、SiO2、Si3N4; Etching Rate：

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