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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

污染物對半導體元件電性的影響. 1.塵粒（Particle) ... 其化學反應式為： SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O2. H2SiF6 可溶於水，因此HF 溶液能蝕刻二氧化矽. SC-1 溶液.

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