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以探針引發式離子佈植術產生奈米氧化物和奈米氧化物成分鑑定

同的分子量下矽酸鹽的體積將比二氧化矽的體積. 大，因此在二氧化矽局部表層，探針引發式氧化隆起. 物的發生起因於多氧化矽層的體積膨脹。

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