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sin 氮化硅

圖2示出了根據本發明第一實施方案的沉積可由氮化硅(SiN)構成的鈍化膜3的方法的順序。首先，在步驟S1中，通過在襯底7上外延地生長氮化物半導體層5來制備外延晶圓9。

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