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SiON，SiO2为栅极介电层和钝化层的AlGaN / GaN MIS-HEMT ...

在AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）中，三种不同的绝缘体层SiN x，SiON和SiO 2被用作栅极电介质和钝化层。通过等离子体增强化学气相 ...

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