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《華林科納-半導體工藝》具有SiN層和Si層的基板的濕蝕刻方法
以上測量了表2所載韋特蝕刻組合物表4所載溫度下Si膜及SiN膜的蝕刻速率,結果顯示在表4中。Si膜的蝕刻速度評價為C,Si膜/SiN膜的選擇比評價也為C。 結果表明 ...
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