此技術乃以一帶能量(0.5-20 kV) 的離子束撞擊試. 片表面,產生離子化的二次粒子,再用質量分析儀加以偵測。圖11-2-55 簡單描. 述SIMS的分析原理。常用於二次離子質譜儀 ...
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