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silicon silicone分別
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絕緣層上矽分析及應用
此研究主要是針對絕緣層上矽金氧半電晶體(Silicon on Insulator MOS)進行理論分析,進而利用 ... 我們分別設定為500Å 及2000Å,而源極和汲極植入深度.
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