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碳化矽（SiC）MOSFET效能的優勢與技術的難點 - 一天網

Si材料中，越是高耐壓器件其單位面積的導通電阻就越大（通常以耐壓值的大概2-2。5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要採用IGBT（絕緣柵極雙極型電 ...

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