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碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 - 行家说

Si材料中，越是高耐压器件其单位面积的导通电阻就越大（通常以耐压值的大概2-2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型 ...

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