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2nd Generation Features of SiC MOSFETs | 臺灣東芝電子零 ...

由於碳化矽（SiC）的介電擊穿強度大約是矽（Si）的10倍，因此SiC功率器件可以提供高耐壓和低壓降。 與相同耐壓條件下的Si相比，SiC器件中的單位面積導通電阻更低。

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