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可將SiC MOSFET可靠性提高10倍之裝置構造 - 材料世界網

Toshiba Electronic Devices & Storage發表開發了一項可提高碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)可靠性的裝置構造。在MOSFET內部搭載肖特基 ...

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