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MOSFET 领先设计厂商，有望深度受益国产替代

SiC 新一代. 半导体材料具有更高的击穿电场、热导率、饱和电子漂移速率及抗辐射能力，在高. 压功率器件领域能够完全替代硅材料，更适合于制作高温、高频、 ...

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