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汽車廠商押注SiC - 今天頭條

具體來說，碳化矽基MOSFET相較於矽基MOSFET擁有高度穩定的晶體結構，工作溫度可達600 ℃；擊穿場強是矽的十倍多，因此阻斷電壓更高；導通損耗比矽器件小 ...

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