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寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為Infineon布局不落人後 - 新通訊

英飛凌的碳化矽二極體(Diodes)在2001年即推出，再將該材料發展成MOSFET寬能隙半導體產品從2017~2018年正式推出，CoolSiC(SiC MOSFET)和CoolGaN(GaN ...

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