崔秉鉞的研究團隊透過射月計畫將突破上述狀況,目標完成全碳化矽單晶片功率系統平台,驅動600V / 10A SiC SJ MOSFET,最高操作溫度300°C, H-bridge驅動電路工作頻率100kHz ...
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