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高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展 - 半导体产业网

作为单极型器件的SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其比导通电阻远低于同电压等级硅MOSFET，最高击穿电压可超越硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT） ...

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