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SiC MOSFET取代逆变器对应3倍电流IGBT

VSI的仿真结果表明，100A SiC MOSFET模块能够取代150A、200A，甚至300A Si IGBT模块，同时提供更高的性能、更低的损耗和潜在的更高的可靠性。由于在系统级SiC安培额定值不 ...

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