和传统的SiIGBT相比,SiCMOSFET既有传统SiMOSFET的优点:高速的开关性能,又具有耐压高、导通电阻低和工作温度高等优势,有望取代Si IGBT。但是由于SiCMOSFET栅氧工艺的局限,其 ...
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