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N 沟道SiC 功率MOSFET 特点优点应用- 北京 - 世纪金光

地址：北京市经济技术开发区排干渠西路17 号. 电话：010-56993369. 邮箱：[email protected]. N 沟道SiC 功率MOSFET. 特点. 低导通电阻. 低电容. 雪崩强度高. 优点.

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